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| 产品： |
浏览次数：227IRFP250功率管现货出售IR原装正品 |
| 单价： |
面议 |
| 最小起订量： |
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| 供货总量： |
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| 发货期限： |
自买家付款之日起 天内发货 |
| 有效期至： |
长期有效 |
| 最后更新： |
2017-12-13 17:32 |
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“IRFP250功率管现货出售IR原装正品”参数说明
| 是否有现货： |
是 |
封装： |
TO247 |
| 功能结构： |
模拟集成电路 |
制作工艺： |
半导体集成电路 |
| 导电类型： |
单极型 |
集成度高低： |
大规模集成电路 |
| 应用领域： |
标准通用 |
型号： |
IRFP250N |
| 规格： |
原装 |
商标： |
IR |
| 包装： |
管件 |
产量： |
10000 |
“IRFP250功率管现货出售IR原装正品”详细介绍
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类别 |
分立半导体产品
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 |
Infineon Technologies |
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系列 |
HEXFET®
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包装 |
散装 |
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零件状态 |
在售 |
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FET 类型 |
N 沟道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
200V |
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
30A（Tc） |
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） |
10V |
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
4V @ 250µA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） |
123nC @ 10V |
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） |
2159pF @ 25V |
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Vgs（最大值） |
±20V |
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FET 功能 |
- |
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功率耗散（最大值） |
214W（Tc） |
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） |
75 毫欧 @ 18A，10V |
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工作温度 |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
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